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Suppression of boron interstitial clusters in SOI using vacancy engineering 1-gen-2005 A. J., Smith; B., Colombeau; R., Gwilliam; N. E. B., Cowern; B. J., Sealy; M., Milosavljevic; E., Collart; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
The interaction between Xe and F in Si (100) pre-amorphised with 20 keV Xe and implanted with low energy BF2 1-gen-2004 M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; Marc, Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; P., Bailey; T. C. Q., Noakes
Transmission electron microscopy study of Ni-Si nanocomposite films 1-gen-2012 M. A., Mohiddon; M. G., Krishna; G., Dalba; Rocca, Francesco
Understanding the role of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in PAI USJ 1-gen-2005 J., Hamilton; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby
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